一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法
本发明一种用于光伏电池上的掩膜,制作在太阳能电池的特定区域上,使得该区域内的太阳能电池表面被遮挡,而未被遮挡的区域的太阳能电池表面裸露,所述掩膜的材质为蜡,所述蜡的熔点在40150℃之间,所述掩膜在UVVISNIR范围内光子平均透过率大于10%.本发明不仅
了解更多光伏电池掩膜技术有哪些
本发明一种用于光伏电池上的掩膜,制作在太阳能电池的特定区域上,使得该区域内的太阳能电池表面被遮挡,而未被遮挡的区域的太阳能电池表面裸露,所述掩膜的材质为蜡,所述蜡的熔点在40150℃之间,所述掩膜在UVVISNIR范围内光子平均透过率大于10%.本发明不仅
一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法与流程
2020年11月25日 · 本发明涉及太阳能电池片制作领域,具体为一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法。背景技术： 一些高效太阳能电池,如ibc电池、hbc电池等,在其制作过程中需要在其表面制作图形化掩膜,以此来形成不同的极性区域；一些低成本金属化工艺如电镀铜技术也
了解更多掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件与流程
2022年12月23日 · 1.本发明涉及太阳能电池制备技术领域,特别是涉及一种掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件。 2.在太阳能电池上电镀栅线电极,通常需要制作掩膜,以避免太阳能电池短路。 3.掩膜的制作方式主要是湿膜成膜或干膜成膜。 湿膜成膜因为涂布工艺的限制,导致所成掩膜厚度均一性较差,影响栅线的线宽。 因此,目前常用的掩膜的制作方式是干膜成膜。
了解更多IBC太阳能电池技术分析
2020年5月25日 · IBC太阳电池最高显著的特点是PN结和金属接触都处于太阳电池的背部,前表面彻底避免了金属栅线电极的遮挡,结合前表面的金字塔绒面结构和减反层组成的陷光结构,能够最高大限度地利用入射光,减少光学损失,具有更高的短路电流。
了解更多技术科普 | 光伏电池的多种技术路线
2024年12月14日 · 以经典IBC电池为例,其图形化工艺流程为：首先在硅片背面进行磷扩散形成N+背场；之后在其上沉积一层掩膜,并利用激光的高能量刻蚀掉不需要被遮挡部分的掩膜和相应位置的掺杂层,从而形成需要的图形；接着,通过硼扩散在没有掩膜遮挡的部分形成P+发射
了解更多一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法与流程
2020年11月25日 · 本发明一种用于光伏电池上的掩膜,制作在太阳能电池的特定区域上,使得该区域内的太阳能电池表面被遮挡,而未被遮挡的区域的太阳能电池表面裸露,所述掩膜的材质为蜡,所述蜡的熔点在40‑150℃之间,所述掩膜在UV‑VIS‑NIR范围内光子平均透过率大于
了解更多掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件
2022年8月25日 · 本发明提供了一种掩膜制备方法和制备系统,太阳能电池和光伏组件,涉及太阳能电池制备技术领域.掩膜制备方法包括:采用曝光光源照射感光干膜的第一名表面,以对感光干膜曝光;第一名表面和感光干膜中与第一名表面相对的第二表面,对曝光光源的反射率均小于或等于5%
了解更多使用 PECVD 的简单阴影掩模技术沉积的单结 a-Si:H p-i-n ...
2020年9月1日 · 在我们的条件下,使用阴影掩模制备的太阳能电池获得的最高高效率约为 8.83%,Voc 为 0.856 V,短路电流密度为 15.6 mA/cm2,填充因子为 66.07%。 所获得的效率略低于通过激光划片制备的该系列电池（10.3%）所获得的创纪录效率,因为低短路电流略微降低了
了解更多一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法 _百度文库
2020年11月24日 · 1 .一种用于光伏电池上百度文库掩膜,制作在太阳能电池的特定区域上,使得该区域内的太 阳能电池表面被遮挡,而未被遮挡的区域的太阳能电池表面裸露,其特征在于：所述掩膜的 材 质为蜡,所述蜡的熔点在40-150℃之间,所述掩膜在UV-VIS-NIR范围内光子
了解更多一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法
2023年8月19日 · 本发明一种用于光伏电池上的掩膜,制作在太阳能电池的特定区域上,使得该区域内的太阳能电池表面被遮挡,而未被遮挡的区域的太阳能电池表面裸露,所述掩膜的材质为蜡,所述蜡的熔点在40‑150℃之间,所述掩膜在UV‑VIS‑NIR范围内光子平均透过率大于
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