34 光电池的基本特性
2020年8月22日 · 从曲线可看 出,硒光电池在可见光谱范围 内有较高的灵敏度,峰值波长 在540nm附近,适宜测可见光 。 硅光电池应用的范围 400nm—1100nm,峰值波长在 850nm附近,因此硅光电池可 以在很宽的范围内应用。
了解更多2020年8月22日 · 从曲线可看 出,硒光电池在可见光谱范围 内有较高的灵敏度,峰值波长 在540nm附近,适宜测可见光 。 硅光电池应用的范围 400nm—1100nm,峰值波长在 850nm附近,因此硅光电池可 以在很宽的范围内应用。
2020年8月22日 · 从曲线可看 出,硒光电池在可见光谱范围 内有较高的灵敏度,峰值波长 在540nm附近,适宜测可见光 。 硅光电池应用的范围 400nm—1100nm,峰值波长在 850nm附近,因此硅光电池可 以在很宽的范围内应用。
了解更多2013年6月30日 · 用它制成的元器件称之为硅光电池。光伏效应最高重大的应用 是可以将阳光直接转换成电能,是当今世界众多国家努力研 究和开拓应用的课题*。 从光伏效应的机理可知(见附录),硅光电池输出的 电流IL 是光生电流IP 和在
了解更多2022年5月20日 · 硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是
了解更多在调制频率较高的场合,应采用硅光电池,并选择 面积较小的硅光电池和较小的负载电阻,进一步减小响应时间,改善频率特性。 本文主要研究的是它的频率特性。
了解更多大面积低温p-Si膜与-Si组成 叠层电池 结构,是提高a-S 光电池 稳定性和 转换效率 的重要途径,可更充分利用 太阳光谱,理论计算表明其效率可在28%以上,将使 硅 基薄膜光电池性能产生突破性进展。
了解更多2005年7月23日 · 硅光电池是属于一种有PN 结的单结光电池.它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成.当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使
了解更多2019年9月26日 · 硅光电池的光谱范围宽广,即为4500-11000 A之间;硒光电池的光谱范围为3400〜7500 A。 因此硒光电池使用于可见光,常用于照度计测定光的强度。 在实际使用中,应根据光源性质来选择光电池。
了解更多2022年6月12日 · 硅光电池负载上的电压降U 和通过负载的电流I 之积称为硅光电池的输出功率P。 在一定的照度下,不 同负载有不同的输出功率,输出功率达到最高大值 P m 时的负载电阻 R m 称为最高佳负载电阻。
了解更多2010年4月2日 · 一般用相对响应表示,实验中硅光电池的响应范围为400~1100nm,峰值波长为800~900nm,由于实验仪器所提供的波长范围为400~650nm,因此,实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势,如图2-9所示硅光电池频率特性曲线。
了解更多2014年4月22日 · 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点:如光谱响应范围宽、性能
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